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Samsung MZ-V9P1T0BW - Disque Dur SSD M.2 (2280) 1TB SAMSUNG 990 PRO (PCIE/NVME) UP TO 7450
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Description du Produit
Performances ultra-rapides
Grâce à l'interface PCIe 4.0 , ce SSD offre des vitesses de lecture et d'écriture exceptionnelles (jusqu'à 7 450 Mo/s en lecture et 6 900 Mo/s en écriture ), ce qui améliore considérablement le temps de chargement des applications et des jeux.
Efficacité énergétique optimisée
Le Samsung SSD 990 PRO est conçu pour consommer moins d'énergie tout en maintenant des performances élevées, ce qui est idéal pour les ordinateurs portables et les configurations à faible consommation.
Fiabilité et durabilité s'accumule
Avec une mémoire NAND de qualité et une endurance élevée ( jusqu'à 600 TBW pour la version 1 To ), ce SSD garantit une longue durée de vie et une protection avancée des données.
Compatibilité et facilité d'installation
Son format M.2 2280 et sa compatibilité avec PCIe 4.0 en font une excellente option pour les PC de bureau, les ordinateurs portables de jeu et les stations de travail, offrant une mise à niveau facile sans encombrement.
Caractéristiques Techniques
Utilisation
PC et consoles de jeux
Capacité
1 000 Go (1Go= 1 Milliard d'octets par IDEMA)*
Forme
M.2 (2280)
Interface
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Dimensions du produit
80 x 22 x 2.3 mm
Poids
Max 9.0g
Mémoire de stockage
Samsung V-NAND TLC
Contrôleur
Contrôleur made in Samsung
Mémoire cache
Samsung 1Go Low Power DDR4 SDRAM
Caractéristiques spécifiques
Support TRIM
Pris en charge
Support S.M.A.R.T
Pris en charge
Ramasse-miettes
Algorithme de récupération des données automatique
Système de cryptage
AAES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)ES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
Support WWN
Non pris en charge
Mode veille
Oui
Performances
Lecture séquentielle
Jusqu'à 7 450 Mo/s *
Écriture séquentielle
Jusqu'à 6 900 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB, QD32)
Jusqu'à 1 400 000 IOPS *
Écriture aléatoire (4KB, QD32)
Jusqu'à 1 550 000 IOPS *
Lecture aléatoire (4KB, QD1)
Jusqu'à 22 000 IOPS *
Écriture aléatoire (4KB, QD1)
Jusqu'à 80 000 IOPS *
Environnement
Consommation moyenne
5,5 W. Maximum 7,8 W *La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Consommation en mode veille
Max. 50 mW *La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Voltage
3.3 V ± 5 % Voltage autorisé
Fiabilité (MTBF)
Fiabilité de 1,5 Millions d'heures
Température hors fonctionnement
0 - 70 ℃
Chocs
1 500 G & 0,5 ms (Semi-sinusoïdal)
General
| Fabricant | Samsung |
| Type | SSD interne |
| Format | M.2 |
| Usage | NAS / Serveur |
| Compatibilite | Console |
Stockage
| Capacite | 1 TB |
| Interface | NVMe PCIe |
| Vitesse lecture (Mo/s) | 500-1000 Mo/s |
| Vitesse ecriture (Mo/s) | 500-1000 Mo/s |
| RAID | Sans objet |
| Endurance (TBW) | 600-1200 TBW |
| Chiffrement | AES 256 bits |
| Type de memoire (NAND) | TLC |
| Tolerance / RPM | Sans objet (SSD) |
Processeur
| Processeur (NAS) | Sans objet |
Memoire
| RAM (NAS) | Sans objet |
Reseau
| Ports reseau | Aucun |
Alimentation
| Alimentation | Bus USB |
Garantie
| Garantie | 3 ans |
Format
| Rackable / Tour | Portable |
Capacité
| Capacité max supportée | Sans objet |
Général
| Caractéristiques clés | |
| Contenu de la boîte |
Design
| Poids | |
| Dimensions |
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